Az Intel több évig tartó munka után elsőként demonstrálta a hibrid szilícium-lézer chipekben rejlő lehetőségeket, amely további tökéletesítésre szorul. Elérhetőnek tartják az 1 Tbps átviteli sebességet.
Az új fejlesztéssel az optikai adatátviteli technika előnyeit integrált áramköri környezetben lehet alkalmazni. Az optikai közeget régóta használják adatátvitelre, mert nemcsak gyors és nagy sávszélességű, hanem nagyságrendekkel nagyobb távolságok áthidalására is alkalmas. Hátránya viszont, hogy az optikai jelet generáló és fogadó egységek előállítása költséges, és a méretéből adódóan a mikroelektronikai áramkörökre is nehéz integrálni. A számítástechnikában kulcsfontosságú szilíciumchipek gyártási költségei azonban rendkívül olcsók, ezért a kutatók már évek óta azzal próbálkoznak, hogy a lézeres technológiát ötvözni lehessen az integrált áramkörökkel.
A processzorgyártó fejlesztési munkálataiban több, egymástól eltérő területre koncentrál, ezek egyike a most ismertetett projekt, amelynek célja egy olyan új adatátviteli rendszer kialakítása, amely gyökeres módon változtathatja meg napjaink számítógépeit és egyéb szórakoztatóelektronikai eszközeit, mégpedig a jelenleg használt rézalapú technológia leváltásával.
Ennek érdekében 2005-től kezdődően a hibrid szilícium-lézer chipek kialakításán dolgoztak, amelyek az egyébként rossz vezetőként ismert szilíciumot használják fel, azt azonban egy indium-foszfid (InP) réteggel együtt alkalmazzák. Ez utóbbi elektromos áram hatására fényt bocsát ki, vagyis megadja az alapját a lézersugarat kibocsátó kapuk létrehozásának. A most bemutatott megoldáson belül a küldő chip 4, egyenként 12,5 Gbps-os átviteli sebességet biztosító lézert alkalmaz, ezeket a fogadó chip szétválasztja, majd detektorok segítésével alakítja vissza elektromos jelekké. Ezzel 50 Gbps-ot értek el egyetlen üvegszálon, és mivel....
A cikk folytatásához kattints IDE!
Ha tetszett a cikk, oszd meg ismerőseiddel is a legnépszerűbb közösségi oldalakon (klikk a gombra):
